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首页 > 供应产品 > 美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000
美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000
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产品: 浏览次数:12美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 
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有效期至: 长期有效
最后更新: 2021-03-22 14:17
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产品描述

 

上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统带有水冷方式低成本设计提供高离子电流通常应用于离子辅助镀膜预清洗和低能量离子蚀刻.

尺寸直径= 5.7 = 5.5

放电电压 / 电流: 50-300V / 10A  15A

操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体

美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 产品特性:

 

伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性:

1.水冷 - 与 KRI 霍尔离子源 eh 1000 对比提供更高的离子输出电流

2.可拆卸阳极组件 - 易于维护维护时最大限度地减少停机时间即插即用备用阳极

3.宽波束高放电电流 - 高电流密度均匀的蚀刻率刻蚀效率高高离子辅助镀膜 IAD 效率

4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统安装方便

5.高效的等离子转换和稳定的功率控制

美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数:

伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:

portant;">

离子源型号

 

portant;">

霍尔离子源

eH2000
eH2000LE
eH2000HO

portant;">

Cathode/Neutralizer

portant;">

F or HC
HC
HC

portant;">

电压

portant;">

50-300V
30-150V
50-250V

portant;">

电流

portant;">

10A
15A
15A

portant;">

散射角度

portant;">

>45

portant;">可充其他 portant;">Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others
portant;">

气体流量

portant;">

2-75sccm

portant;">

高度

portant;">

4.0“

portant;">

直径

portant;">

5.7“

portant;">

水冷

portant;">

美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 应用领域:

伯东 KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域:

1. 离子辅助镀膜 IAD

2. 预清洗 Load lock preclean

3. 预清洗 In-situ preclean

4. Direct Deposition

5. Surface Modification

6. Low-energy etching

7. III-V Semiconductors

8. Polymer Substrates

 

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