产品描述
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特别适合大中型真空系统, 带有水冷方式, 低成本设计提供高离子电流. 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 5.7“ 高= 5.5”
放电电压 / 电流: 50-300V / 10A 或 15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 产品特性:
伯东 KRI 霍尔离子源 eH 2000 特性:
1.水冷 - 与 KRI 霍尔离子源 eh 1000 对比, 提供更高的离子输出电流
2.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
3.宽波束高放电电流 - 高电流密度; 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
4.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统; 安装方便
5.高效的等离子转换和稳定的功率控制
美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 技术参数:
伯东 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列在售型号及技术参数:
portant;">
离子源型号
|
portant;">
霍尔离子源
eH2000 |
portant;">
Cathode/Neutralizer |
portant;">
F or HC |
portant;">
电压 |
portant;">
50-300V |
portant;">
电流 |
portant;">
10A |
portant;">
散射角度 |
portant;">
>45 |
portant;">可充其他 | portant;">Ar, O2, N2, H2, organic precursors, others |
portant;">
气体流量 |
portant;">
2-75sccm |
portant;">
高度 |
portant;">
4.0“ |
portant;">
直径 |
portant;">
5.7“ |
portant;">
水冷 |
portant;">
是 |
美国 KRI 霍尔离子源 eH 2000 应用领域:
伯东 KRI 霍尔离子源 eH2000 应用领域:
1. 离子辅助镀膜 IAD
2. 预清洗 Load lock preclean
3. 预清洗 In-situ preclean
4. Direct Deposition
5. Surface Modification
6. Low-energy etching
7. III-V Semiconductors
8. Polymer Substrates