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产品描述
上海伯东代理美国考夫曼博士设立的考夫曼公司 KRI 霍尔离子源 eH 400 低成本设计提供高离子电流, 霍尔离子源 eH 400 尺寸和离子能量特别适合中小型的真空系统, 可以控制较低的离子能量, 通常应用于离子辅助镀膜, 预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸: 直径= 3.7“ 高= 3”
放电电压 / 电流: 50-300eV / 5a
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有机前体
美国 KRI 霍尔离子源 eH 400 产品特性：
伯东 KRI 霍尔离子源 eH 400 特性：
1.可拆卸阳极组件 - 易于维护; 维护时, 最大限度地减少停机时间; 即插即用备用阳极
2.宽波束高放电电流 - 均匀的蚀刻率; 刻蚀效率高; 高离子辅助镀膜 IAD 效率
3.多用途 - 适用于 Load lock / 超高真空系统
4.高效的等离子转换和稳定的功率控制
美国 KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数：
KRI 霍尔离子源 eH 400 技术参数:
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型号 |
eH 400 / eH 400 LEHO |
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供电 |
DC magnetic confinement |
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- 电压 |
40-300 V VDC |
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- 离子源直径 |
~ 4 cm |
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- 阳极结构 |
模块化 |
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电源控制 |
eHx-3005A |
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配置 |
- |
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- 阴极中和器 |
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
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- 离子束发散角度 |
> 45° (hwhm) |
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- 阳极 |
标准或 Grooved |
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- 水冷 |
前板水冷 |
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- 底座 |
移动或快接法兰 |
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- 高度 |
3.0' |
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- 直径 |
3.7' |
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- 加工材料 |
金属 |
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- 工艺气体 |
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
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- 安装距离 |
6-30” |
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- 自动控制 |
控制4种气体 |
* 可选: 可调角度的支架; Sidewinder
美国 KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域：
KRI 霍尔离子源 eH 400 应用领域:
1.离子辅助镀膜 IAD
2.预清洁 Load lock preclean
3.In-situ preclean
4.Low-energy etching
5.III-V Semiconductors
6.Polymer Substrates